ከMOSFET አካል ዳዮድ ውድቀት ጀርባ ያሉትን ወንጀለኞች ይፋ ማድረግ

በኤሌክትሮኒክስ መስክ፣ MOSFETs (ሜታል-ኦክሳይድ-ሴሚኮንዳክተር ፊልድ-ኢፌክት ትራንዚስተሮች) በውጤታማነታቸው፣ በመቀያየር ፍጥነት እና በቁጥጥር ብቃታቸው የተመሰገኑ ክፍሎች ሆነዋል። ነገር ግን፣ የMOSFETs ተፈጥሯዊ ባህሪ፣ የሰውነት ዲዮድ፣ እምቅ ተጋላጭነትን ያስተዋውቃል፡ ውድቀት። MOSFET የሰውነት ዳይኦድ ውድቀቶች ከድንገተኛ ብልሽቶች እስከ የአፈጻጸም ውድቀት ድረስ በተለያዩ ቅርጾች ሊገለጡ ይችላሉ። የእነዚህን ውድቀቶች የተለመዱ መንስኤዎች መረዳት ውድ ጊዜን ለመከላከል እና የኤሌክትሮኒክስ ስርዓቶችን አስተማማኝነት ለማረጋገጥ ወሳኝ ነው. ይህ የብሎግ ልጥፍ ስለ MOSFET የሰውነት ዳይኦድ ውድቀቶች፣ ዋና መንስኤዎቻቸውን፣ የምርመራ ቴክኒኮችን እና የመከላከያ እርምጃዎችን ይመረምራል።

የ MOSFET የሰውነት ዳዮድ ውድቀት ወደ የተለመዱ መንስኤዎች መመርመር

የጎርፍ መጥለቅለቅ፡ የ MOSFET መሰባበር ቮልቴጅን ማለፍ የበረዶ ብክነትን ያስከትላል፣ ይህም የሰውነት diode ድንገተኛ ውድቀት ያስከትላል። ይህ የሚከሰተው ከመጠን በላይ የቮልቴጅ ፍጥነቶች, ከመጠን በላይ የቮልቴጅ ሽግግርዎች ወይም የመብረቅ ጥቃቶች ምክንያት ነው.

የተገላቢጦሽ መልሶ ማግኛ አለመሳካት፡ ከ MOSFET የሰውነት ዳዮዶች ጋር ያለው የተገላቢጦሽ የማገገሚያ ሂደት የቮልቴጅ መጨመርን እና የኢነርጂ ብክነትን ሊያስከትል ይችላል። እነዚህ ውጥረቶች ከዲዲዮው አቅም በላይ ከሆኑ, ሊሳካ ይችላል, ይህም የወረዳ ብልሽቶችን ያስከትላል.

ከመጠን በላይ ማሞቅ፡ ብዙ ጊዜ በከፍተኛ የስራ ጅረት፣ በቂ ያልሆነ የሙቀት መጠን መጨመር ወይም በከባቢ አየር ሙቀት ምክንያት የሚከሰት ከመጠን በላይ ሙቀት መጨመር የ MOSFETን ውስጣዊ መዋቅር፣ የሰውነት ዳይኦድን ጨምሮ ሊጎዳ ይችላል።

ኤሌክትሮስታቲክ መልቀቅ (ኢኤስዲ)፡- በድንገተኛ ኤሌክትሮስታቲክ ፈሳሾች የሚከሰቱ የኤኤስዲ ክስተቶች ከፍተኛ ኃይል ያለው ጅረት ወደ MOSFET ያስገባሉ፣ ይህም የሰውነት ዳይኦድ ውድቀትን ሊያስከትል ይችላል።

የማምረት ጉድለቶች፡- እንደ ቆሻሻዎች፣ መዋቅራዊ ጉድለቶች ወይም ማይክሮክራኮች ያሉ የማምረት ጉድለቶች በሰውነት ዳይኦድ ውስጥ ያሉ ድክመቶችን በማስተዋወቅ በውጥረት ውስጥ ላለ ውድቀት ተጋላጭነቱን ይጨምራል።

የ MOSFET አካል ዳዮድ ውድቀትን በመመርመር ላይ

የእይታ ምርመራ፡- የሰውነት መበላሸት ምልክቶችን ለምሳሌ እንደ ቀለም መቀየር፣ ስንጥቅ ወይም ማቃጠል ያሉ ምልክቶችን MOSFETን ይመርምሩ ይህም የሙቀት መጨመርን ወይም የኤሌክትሪክ ጭንቀትን ሊያመለክት ይችላል።

የኤሌክትሪክ መለኪያዎች፡ የዲያዮዱን ወደፊት እና ወደ ኋላ የቮልቴጅ ባህሪያትን ለመለካት መልቲሜትር ወይም oscilloscope ይጠቀሙ። ያልተለመዱ ንባቦች፣ እንደ ከመጠን በላይ ዝቅተኛ ወደፊት ቮልቴጅ ወይም የውሃ ፍሰት ያሉ፣ የዲዮዲዮ ውድቀትን ሊጠቁሙ ይችላሉ።

የወረዳ ትንተና፡- የቮልቴጅ ደረጃዎችን፣ የመቀያየር ፍጥነቶችን እና የአሁን ጭነቶችን ጨምሮ የወረዳውን የስራ ሁኔታዎች ይተንትኑ፣ ለዲዲዮ ውድቀት አስተዋጽኦ የሚያደርጉ አስጨናቂ ሁኔታዎችን ለመለየት።

MOSFET የሰውነት ዳዮድ ውድቀትን መከላከል፡ ንቁ እርምጃዎች

የቮልቴጅ ጥበቃ፡ የቮልቴጅ መጨናነቅን ለመገደብ እና MOSFETን ከቮልቴጅ ሁኔታዎች ለመጠበቅ እንደ Zener diodes ወይም varistors ያሉ የቮልቴጅ መከላከያ መሳሪያዎችን ይቅጠሩ።

Snubber ዑደቶች፡- የቮልቴጅ መጠንን ለማርገብ እና በተገላቢጦሽ ማገገም ወቅት ሃይልን ለማሟሟቅ፣የሰውነት ዳዮድ ጭንቀትን በመቀነስ ተቃዋሚዎችን እና አቅምን ያቀፈ snubber ወረዳዎችን ይተግብሩ።

ትክክለኛ ሙቀት፡ በ MOSFET የሚመነጨውን ሙቀትን በብቃት ለማጥፋት፣ ከመጠን በላይ ሙቀትን እና የዲያዮድ ጉዳት እንዳይደርስ ለመከላከል በቂ የሆነ ሙቀትን ማረጋገጥ።

የESD ጥበቃ፡ የMOSFETን የሰውነት ዳይኦድ ሊጎዱ የሚችሉ የESD ክስተቶችን ስጋት ለመቀነስ እንደ መሬት ላይ መደርደር እና የማይንቀሳቀስ-የሚከፋፍል አያያዝ ሂደቶችን የመሳሰሉ የESD ጥበቃ እርምጃዎችን ይተግብሩ።

የጥራት አካላት፡ MOSFETs ምንጭ ከታዋቂ አምራቾች ጥብቅ የጥራት ቁጥጥር ደረጃዎች ወደ ዲዮድ ውድቀት ሊመሩ የሚችሉ የማምረቻ ጉድለቶችን እድልን ለመቀነስ።

ማጠቃለያ

MOSFET የሰውነት ዳይኦድ አለመሳካቶች በኤሌክትሮኒካዊ ሲስተሞች ላይ ከፍተኛ ተግዳሮቶችን ሊፈጥሩ ይችላሉ፣ ይህም የወረዳ ብልሽቶችን፣ የአፈፃፀሙን ውድመት እና የመሳሪያ ውድመትን ያስከትላል። ለMOSFET የሰውነት ዳዮድ ውድቀቶች የተለመዱ መንስኤዎችን ፣የመመርመሪያ ዘዴዎችን እና የመከላከያ እርምጃዎችን መረዳት ለኤንጂነሮች እና ቴክኒሻኖች የወረዳቸውን አስተማማኝነት እና ረጅም ዕድሜ ለማረጋገጥ አስፈላጊ ነው። እንደ የቮልቴጅ ጥበቃ፣ snubber circuits፣ ትክክለኛ ሙቀት መጨመር፣ ኢኤስዲ ጥበቃ እና ከፍተኛ ጥራት ያላቸውን አካላት በመጠቀም ንቁ እርምጃዎችን በመተግበር የ MOSFET አካል ዳይኦድ ውድቀቶችን በከፍተኛ ሁኔታ በመቀነስ የኤሌክትሮኒክስ ስርዓቶችን ለስላሳ አሠራር እና ረጅም ዕድሜን ያረጋግጣል።